半导体

消费升级带来家居产业的巨大变革,随着智能终端、互联网技术以及物联网的发展,智能家居产业被业界视为下一个蓝海。作为家居真正智能化的关键要素——半导体芯片供应商又是如何应对的呢?本次论坛特邀请了相关领域的专家智能家居市场的发展、挑战及热点内容给出了详细阐释。

详阅请点击下载《智能家居市场“钱”景诱人,半导体玩家如何应对?(一)》

全球半导体材料地区排行:台湾第一大陆增速第一

国际半导体产业协会(SEMI)公布最新全球半导体材料市场报告,2016年全球半导体材料市场与2015相比成长2.4%,全球半导体营收则提升1.1%。

SEMI报告显示,全球晶圆制造材料市场规模在247亿美元,封装材料市场为196亿美元。 相较于2015年晶圆制造材料市场的240亿美元及封装材料市场的193亿美元,分别成长3.1%及1.4%。

SEMI指出,台湾作为众多晶圆制造与先进封装基地,去年以97.9亿美元市场规模,连续第7年成为全球最大半导体材料买主,年增率达3.9%。 韩国与日本仍维持第2及第3的排名,大陆排名则提升至全球第4。 大陆、台湾与日本为全球成长最快的市场,欧洲、其他地区与韩国的材料市场仅微幅成长,北美则呈现萎缩状态。

中国大陆去年采购金额攀高至65.3亿美元,年增7.3%,不仅是采购金额增加幅度最大的地区,并跃居第4大买家。

韩国去年采购金额71.1亿美元,为第2大买家;日本采购金额67.4亿美元,为第3大买家。

全球半导体材料地区排行:台湾第一大陆增速第一

【重磅】摩尔定律死亡?权威报告:2021年芯片只能向3D转型

本月早些时候公布的“2015年半导体国际技术路线图”(ITRS)显示,经过50多年的微型化,晶体管的尺寸可能将在五年后停止缩减。

该报告预测,在2021年后,继续缩小微处理器中晶体管的尺寸,对公司而言在经济上不可取。相反,芯片制造商将用其他方法增大晶体管密度,即将晶体管从水平结构,转变为垂直结构并建造多层电路。

一些人认为,这一变化相当于是宣布摩尔定律的终结。雪上加霜的是,这是最后一份ITRS路线图。

ITRS由美国发起,而后扩展到全球,已有20年的历史,现在却走到了终点。

1

1971年到2016年,全球半导体行业根据摩尔定律,在电路板上容纳的晶体管数量

半导体特性不再由半导体公司决定

作者:Imagination 副总裁Woz Ahmed

“大陆半导体市场是你们唯一的选择,对台湾半导体产业而言,‘开放’不可怕,畏惧‘开放’的心态才可怕”

面临危机,如果因应得宜,往往能成为转机,带来新的成长机会。而且若是在财务能力、创新技术、市场需求以及国家安全等诸多因素都能妥善处理的情况下,此成长更将展现出爆炸性的动能。

不,这可不是在写间谍小说,而是我观察近来半导体产业最新情势所做的一项总结。

多个彼此牵动的因素已改变了半导体产业的样貌——包括需求驱动力量的改变、日益攀升的研发成本、客户高度集中带来的ASP压力以及投资风险——这已使业者的获利能力降低,并加速了市场的整并,最终却又带来了更严苛的新挑战。

与此同时,中国政府近来的作为更加剧了此情势的发展。身为全球工厂的中国,正积极升级经济实力,朝更高附加价值的方向发展,让产品标签从“在中国制造”(Made in China)转变为“由中国制造”(Made by China)。

Gartner:2016年全球半导体晶圆级制造设备年增11%

在3D NAND与尖端逻辑芯片制程设备支出成长推动下,调研机构Gartner表示,2016全年全球半导体晶圆级制造设备市场规模年增11.3%,达374.07亿美元。一扫2015年规模年减1%阴霾。

Gartner研究副总裁Takashi Ogawa表示,由于市场对资料中心高端服务,以及对移动装置中的高效能处理器与存储器需求大增,使得各半导体业者纷纷对晶圆级制造设备进行投资,进而推动了半导体设备市场规模的成长。

就个别业者而言,受到半导体业者在3D制造设备上的积极投资推动,应用材料(Applied Materials)2016年营收大幅成长,尤其是蚀刻领域设备营收成长更是明显。

资料显示,2016年应用材料整体晶圆级制造设备营收年增20.5%,达77.37亿美元。营收续居各业者之冠。

日本业者Screen Semiconductor SoluTIons则是在日圆兑美元汇率升值,以及市场对3D NAND产能需求增加等因素影响下,2016年整体晶圆级制造设备营收年增41.5%,达13.75亿美元。虽然该公司2016年营收在前十大业者中仅排名第六,但营收年增率居各业者之冠。

Gartner 预测 2017 年全球半导体营收将增加 12.3%

国际研究暨顾问机构 Gartner 预测,2017 年全球半导体营收总计将达到 3,860 亿美元,较 2016 年增加 12.3%。自 2016 下半年起对市场有利的条件开始浮现,尤其是在标准型存储器(commodity memory)方面,随着这些有利条件持续发酵,2017 与 2018 年市场前景更为看好。不过存储器市场变化无常,加上 DRAM 与 NAND Flash 产能增加,市场预期在 2019 年进入修正期。

Gartner 研究总监 Jon Erensen 表示:“虽然 DRAM 与 NAND Flash 价格双双上涨,让整体半导体市场前景更为看好,但这也对智能手机、个人电脑(PC)与服务器系统厂商的获利带来压力。零组件缺货、原物料价格上涨,加上业者可能必须提高平均售价(ASP)做为因应,2017 年与 2018 年市场都将因此动荡。”

从 2016 年中以来,个人电脑用 DRAM 价格已上涨一倍。原来只要 12.50 美元的 4GB 模组,现在已涨到将近 25 美元,NAND Flash 的平均售价也从 2016 下半年持续上扬到今年第一季。Gartner 预期 DRAM 与 NAND 的价格将在 2017 年第二季达到顶峰,不过整体价格回跌可能要一直持续到今年年底,主要原因是在于智能手机等主要应用的容量需求增加,厂商就会开始抢货。

1月全球芯片销售跃升13.9% 创6年来最大月涨幅

半导体产业协会(Semiconductor Industry Association,SIA)周一表示,2017年初半导体行业开局良好,在面向中国的强劲销售推动下,1月份的半导体销售出现6年来的最大月度增幅。

1月全球芯片销售跃升13.9% 创6年来最大月涨幅

SIA称,1月全球芯片销售跃升13.9%,达306亿美元,为2010年以来的最大年比增幅。面向中国的芯片销售增长20.5%,面向美国的销售增长13.3%,对日销售增长12.3%,对欧销售增长4.8%。

SIA首席执行官约翰-纽费尔(John Neuffer)表示:“全球半导体行业2017年的开局强劲,令人振奋,1月销售创历史同期最高水平,同时也创造了6年多以来的最大年比增幅。”

过去3个月内,PHLX半导体指数已上涨14%,而同期内标普500指数涨幅为7.3%。个股当中,英特尔在过去三个月内上涨3%,AMD大涨38%。

文章来源:cnBeta

IC Insights:中国追求半导体自制率核心技术是障碍

据台湾媒体报道,中国积极扶植半导体产业,喊出2025年自制率要达70%。 IC Insights分析认为,缺乏核心技术下,要实现2025年的目标并不太实际,大基金奥援下资金面没有问题,但核心技术会是障碍,且内存专利上项目众多,未来恐有专利战的疑虑。

中国在2015年释出《国家集成电路产业发展推进纲要》、《中国制造2025》,明确订定2020年中国IC内需市场自制率要达40%,2025年将进一步提高至70%的政策目标外。

IC Insights举例,早在1980年代的美国可见一斑,当初美国政府试图推行一项政策,要求供应军用芯片的产业链企业能实现全部美国化,即是从晶圆与封装材料、半导体设备到芯片制造、封装测试更阶段,至少有一家美国公司。 在30年前,芯片制造产业远不如现在复杂,但那时候半导体产业链就已衍伸出几千个环节,因此美国政府最终不得不废止了这项政策。 对半导体产业链来说,市占率达不到100%,谈自给率就没有意义。

IC Insights指出,《中国制造2025》的目标仰赖2基本个要素:资金和技术,要实现2025年自制率达70%的目标,两方面都无法偏废。 在大基金的支持下,资金不会成为中国半导体产业实现2025年目标的障碍。

俄科学家研发新材料 可让电子产品更小巧运行更快

据俄罗斯卫星新闻网2月4日报道,一个由俄罗斯和美国专家组成的国际科研组在世界上首次推出一维半导体材料,向更小巧紧凑、速度更快的电子产品迈进一步。使用这种新材料可使电路减小到纳米大小,同时加快电子仪器的工作速度。这项研究的理论部分由俄罗斯国立工艺技术大学(NUST MISIS)专家完成,实验部分由美国杜兰大学(路易斯安那州)研究人员负责。

俄科学家研发新材料 可让电子产品更小巧运行更快

俄罗斯国立工艺技术大学物理与数学博士帕维尔·索罗金表示,使用这种"智能材料"有助于降低装置耗电量,改变其结构和设计。

所有基础设施变成纳米级别后,人们在街道、超市、医院等地的周边环境每天都会很大程度地"智能化"。

他指出:"光继电器、光电二级管、自动传感器和其它数字设备的速度也将加快。"

来源:cnBeta

先进半导体行业将影响芯片行业的变化

先进工艺制程成本的变化是一个有些争议的问题。成本问题是一个复杂的问题,有许多因素会影响半导体制程成本。本文将讨论关于半导体制程的种种因素以及预期。

晶圆成本

影响半导体工艺制程成本的第一个因素是晶圆成本。

毫无疑问,晶圆成本在不断上升。制程的金属层数随着工艺的演进不断上升,在130nm时典型的制程有六层金属,而到了5nm节点则预期至少会有14层金属。

从90nm节点开始开始引入应力技术以继续增强晶体管的性能,这也会增加制程的成本。从45nm到28nm节点,半导体制程引入了high-k栅技术以增强性能。

另一个变化是晶体管阈值电压数目的变化。在130nm节点,晶体管只有两种阈值(常规阈值RVT管与低阈值LVT管),而到了16nm之后,有了多达五种阈值(超高阈值UHVT,高阈值HVT,常规阈值RVT,低阈值LVT与超低阈值ULVT)。这是因为,从40nm到16/14nm FinFET,短沟道效应越来越明显,为了控制漏电流必须引入多种阈值的器件。显然,这也会增加掩膜成本。

在先进半导体制程中,还会引入新的技术,如在16/14nm节点引入的FinFET技术,在5nm引入的堆叠横向纳米线(stacked horizontal nanowire )技术。

同步内容
--电子创新网--
粤ICP备12070055号