物联网推进新工艺FD-SOI技术快速发展？

作者 张国斌
物联网设备需要更长的续航时间、更低的功耗和更小的尺寸，这对目前主流的Bulk CMOS工艺提出挑战，在2014上海FD-SOI论坛上，有的专家认为FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术有望受到重视，因为它可以实现低功耗与高性能的兼得，正好可以满足物联网（IOT）的需求。

FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术是一种新的工艺技术，据悉有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片，在相同的选件和金属层条件下，FD-SOI需要38个掩模，而某些基板CMOS则需要多达50个掩模。FD-SOI缩减制造工序15%，缩短交货期10%，这两大优点可大幅降低成本。此外，采用FD-SOI工艺制造的芯片在功耗上可以大幅降低，还可以缩小面积节约成本。

目前产业界中英特尔一直看好FinFET技术，TSMC紧跟英特尔，但是近期因良率问题有所动摇，GF、IBM、三星看好FD-SOI，中芯国际处于观望态势。

在2014上海FD-SOI论坛上，IBS主席兼 CEO Handel Jones发表主题演讲《市场概述与机遇》，Handel 对全球半导体工艺技术发展颇有研究，去年的演讲中他就看好中国市场未来，今年更不例外，大赞中国市场潜力巨大，甚至将决定FD-SOI工艺技术的发展。

他认为物联网（IOT）是FD-SOI应用的催化剂，IOT设备智能程度高、处理能力抢需要语音识别、小外形、低功耗（需要数周数月数年的续航时间），这都是FD-SOI的强项。

而物联网设备的构建模块呈现一个倒金字塔结构，传感器是基础，低功耗处理器是核心，连接是必须的。

IOT的营收来源，服务是主流，设备次之

IOT面临的挑战很多，IOT的本质是收集数据，要想清楚几个问题：哪类数据是重要的？用这些数据干什么？谁可以接触这些数据，这些数据可以存储在外设上吗？他说中国是IOT的大市场，构建强大的生态系统很重要。

客户端IOT市场，软件是主流，只能说做硬件的真苦逼啊

IOT市场的应用领域消费、医疗、物流、家庭是主战场。

一些可穿戴设备的分析，连接方面目前蓝牙是主流
他也分享了一些FD-SOI工艺技术的优势点，例如采用FD-SOI工艺的可穿戴设备的VDD电压可以低到0.6V？？功耗可以做到4mW?

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