物联网推进新工艺FD-SOI技术快速发展?

作者 张国斌
物联网设备需要更长的续航时间、更低的功耗和更小的尺寸,这对目前主流的Bulk CMOS工艺提出挑战,在2014上海FD-SOI论坛上,有的专家认为FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)技术有望受到重视,因为它可以实现低功耗与高性能的兼得,正好可以满足物联网(IOT)的需求。

FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)技术是一种新的工艺技术,据悉有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片,在相同的选件和金属层条件下,FD-SOI需要38个掩模,而某些基板CMOS则需要多达50个掩模。FD-SOI缩减制造工序15%,缩短交货期10%,这两大优点可大幅降低成本。此外,采用FD-SOI工艺制造的芯片在功耗上可以大幅降低,还可以缩小面积节约成本。

目前产业界中英特尔一直看好FinFET技术,TSMC紧跟英特尔,但是近期因良率问题有所动摇,GF、IBM、三星看好FD-SOI,中芯国际处于观望态势。

在2014上海FD-SOI论坛上,IBS主席兼 CEO Handel Jones发表主题演讲《市场概述与机遇》,Handel 对全球半导体工艺技术发展颇有研究,去年的演讲中他就看好中国市场未来,今年更不例外,大赞中国市场潜力巨大,甚至将决定FD-SOI工艺技术的发展。

他认为物联网(IOT)是FD-SOI应用的催化剂,IOT设备智能程度高、处理能力抢需要语音识别、小外形、低功耗(需要数周数月数年的续航时间),这都是FD-SOI的强项。

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而物联网设备的构建模块呈现一个倒金字塔结构,传感器是基础,低功耗处理器是核心,连接是必须的。
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IOT的营收来源,服务是主流,设备次之
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IOT面临的挑战很多,IOT的本质是收集数据,要想清楚几个问题:哪类数据是重要的?用这些数据干什么?谁可以接触这些数据,这些数据可以存储在外设上吗?他说中国是IOT的大市场,构建强大的生态系统很重要。
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客户端IOT市场,软件是主流,只能说做硬件的真苦逼啊
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IOT市场的应用领域消费、医疗、物流、家庭是主战场。
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一些可穿戴设备的分析,连接方面目前蓝牙是主流
他也分享了一些FD-SOI工艺技术的优势点,例如采用FD-SOI工艺的可穿戴设备的VDD电压可以低到0.6V??功耗可以做到4mW?
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