物联网推进新工艺FD-SOI技术快速发展？

由创新网小编于星期三, 2014-09-24 15:51 发表

作者张国斌
物联网设备需要更长的续航时间、更低的功耗和更小的尺寸，这对目前主流的Bulk CMOS工艺提出挑战，在2014上海FD-SOI论坛上，有的专家认为FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术有望受到重视，因为它可以实现低功耗与高性能的兼得，正好可以满足物联网（IOT）的需求。

FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术是一种新的工艺技术，据悉有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片，在相同的选件和金属层条件下，FD-SOI需要38个掩模，而某些基板CMOS则需要多达50个掩模。FD-SOI缩减制造工序15%，缩短交货期10%，这两大优点可大幅降低成本。此外，采用FD-SOI工艺制造的芯片在功耗上可以大幅降低，还可以缩小面积节约成本。

目前产业界中英特尔一直看好FinFET技术，TSMC紧跟英特尔，但是近期因良率问题有所动摇，GF、IBM、三星看好FD-SOI，中芯国际处于观望态势。

在2014上海FD-SOI论坛上，IBS主席兼 CEO Handel Jones发表主题演讲《市场概述与机遇》，Handel 对全球半导体工艺技术发展颇有研究，去年的演讲中他就看好中国市场未来，今年更不例外，大赞中国市场潜力巨大，甚至将决定FD-SOI工艺技术的发展。

他认为物联网（IOT）是FD-SOI应用的催化剂，IOT设备智能程度高、处理能力抢需要语音识别、小外形、低功耗（需要数周数月数年的续航时间），这都是FD-SOI的强项。